国家知识产权局信息显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司申请一项名为“一种静电吸附盘及一种晶圆吸附方法”的专利，公开号CN121443013A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明提供了一种静电吸附盘、一种晶圆吸附方法及一种计算机可读存储介质。该静电吸附盘包括吸附盘本体和多个射频电极。该吸附盘本体包括由不同体电阻率的多种绝缘材料制成的多个区域。该多个射频电极集成于各区域中，其中，位于不同体电阻率的绝缘材料制成的不同区域的多个射频电极连接不同的射频源。
天眼查资料显示，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司，成立于2023年，位于沈阳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司参与招投标项目26次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息461条，此外企业还拥有行政许可16个。
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